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西數(shù)重推閃存版20TB硬盤 采用了獨(dú)家OptiNAND架構(gòu)技術(shù)

來源：快科技

西數(shù)日前宣布了業(yè)內(nèi)首款集成iNAND閃存芯片的20TB機(jī)械硬盤新品，采用了獨(dú)家的OptiNAND架構(gòu)技術(shù)。

在HDD硬盤上增加NAND閃存很容易讓人想起多年前西數(shù)/希捷推出的SSHD混合硬盤，然而西數(shù)稱，OptiNAND并非混合架構(gòu)硬盤，而是一種更創(chuàng)新的體系，此前的硬盤在緊急斷電時(shí)DRAM里的緩存數(shù)據(jù)無法保存或最多2MB，而OptiNAND則提高50倍到100MB。

OptiNAND硬盤現(xiàn)在的容量做到了20TB，西數(shù)表示5-10年內(nèi)會(huì)推出50TB容量的OptiNAND硬盤。

如何解讀這次的20TB OptiNAND硬盤？看起來是技術(shù)進(jìn)步了，但是背后可能是個(gè)壞消息——有專家表示這意味著西數(shù)之前寄予厚望的MAMR技術(shù)硬盤跳票了。

MAMR（微波輔助磁記錄技術(shù)）是面向下一代HDD硬盤的磁存儲(chǔ)技術(shù)，存儲(chǔ)密度是當(dāng)前HDD硬盤的5倍以上，可達(dá)10Tb每平方英寸以上，未來可以做出100TB容量的硬盤，這也是西數(shù)以及希捷早前宣傳的美好前景。

但是現(xiàn)在的情況來看，不論是西數(shù)的MAMR技術(shù)還是希捷力推的HAMR技術(shù)，在量產(chǎn)上都有困難沒有解決，HDD硬盤的技術(shù)進(jìn)步?jīng)]有之前預(yù)期的那么樂觀，100TB硬盤還得等了。

標(biāo)簽： 機(jī)械硬盤 混合架構(gòu)硬盤 緩存數(shù)據(jù) OptiNAND硬盤

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